DDR4 "atrasa" e chegará apenas em 2014 com clocks em até 4266Mhz!

Embora anunciada em janeiro deste ano pela Samsung durante a CES 2011, as memórias DRAM DDR4 para PCs só deverão chegar aos lares dos consumidores domésticos apenas em 2014.

Originalmente, as especificações (e regulamentações do padrão) dos  primeiros módulos DDR4 deveriam estar prontas até o final do ano, com o início da produção previsto para iniciar em 2012. Entretanto, o iSuppli informou que a nova geração de DRAM sofrerÁ um atraso de um ano.

A firma de pesquisa de mercado não informou com exatidão o motivo para o suposto atraso. Contudo, especula-se que a postergação esteja relacionada com a nova topologia ponto-a-ponto, além da complexidade no processo de fabricação, bem como os altos clocks.

Até a chegada das DDR4, as DDR3 continuarão absolutas no mercado. O mercado projeta que em 2012 cerca de 89% dos 808 milhões de módulos de memória DRAM comercializados serão da atual geração, um aumento de 67% em relação ao ano passado. JÁ as velhas DDR2 corresponderão a meros 9% de todas as DRAMs vendidas em 2011, redução de 29% frente a 2010.

Com o atraso da nova geração, a atual irÁ aumentar ainda mais a sua participação, chegando a 92% em 2012 e a 94% em 2013. Entretanto, os analistas acreditam que as DDR4 ganharão rapidamente o gosto dos consumidores. De imediato o futuro módulo representarÁ 12% de todo o mercado, chegando a impressionantes 56% no ano seguinte, em 2015. Neste período, as DDR3 corresponderão a 42% de 1.1 bilhão de memórias comercializadas.

Para quem ainda não sabe, as DDR4 prometem velocidades variando entre 1600Mhz e 4266Mhz, com vcore de apenas 1,2V. JÁ as versões de baixo consumo (voltadas para dispositivos portÁteis) trabalharão entre 1.05-1.1V. Trata-se de uma significativa evolução frente às DDR3, que necessitam de 1,35V a 1,5V para alcançar 1,6Gbps (1600 Mhz) na mesma litografia.

A nova geração de memória utiliza-se de uma nova tecnologia, chamada Pseudo Open Drain (POD), baseada em uma versão para VRAM (DDR4 para VGAs), fazendo com que os módulos necessitem de apenas metade da corrente elétrica em relação às DDR3, quando estÁ lendo ou gravando dados.