Créditos: Divulgação/Samsung

Memórias UltraRAM prometem armazenamento das NAND e durabilidade de DRAM

Tecnologia promete combinar o melhor de dois mundos em um único chip de alto desempenho
Por Felipe Gugelmin 10/01/2022 16:59 | atualizado 10/01/2022 16:59 Comentários Reportar erro

Evolução que promete revolucionar as capacidades de armazenamento e durabilidade de chips NAND e DRAM, as memórias UltraRAM atingiram recentemente um novo patamar de evolução. Engenheiros do Departamento de Física e Engenharia da Universidade Lancaster, no Reino Unido, mostraram como é possível trazer trazê-las do campo teórico para a aplicação em pastilhas de silício.

A nova tecnologia promove a junção de memórias não voláteis, como o flash, com a velocidade, durabilidade e eficiência energética de memórias como a DRAM. A promessa é de que, no futuro, os chips UltraRAM sejam capazes de providenciar sozinhos todos os requisitos que atualmente se encontram separados nos dois tipos de chip

A ideia por trás da tecnologia não é nova, e já resultou em iniciativas como as RAMs resistivas, RAMs magnetorresistivas e, mais recentemente, na linha Optane da Intel — que parou recentemente de oferecê-las para desktops do segmento doméstico. A UltraRAM promete ser bem-sucedida onde outras alternativas falharam ao apostar em semicondutores especiais que, até o momento, são usados somente em componentes fotônicos como LEDs, detectores infravermelhos e diodos de laser.

UltraRAM usa componentes especiais

A UltraRAM (nome registrado pela Universidade de Lancaster) pode ser transportada para pastilhas de silício usando uma combinação especial de arseneto de índio (InAs), antimoneto de gálio (GaSB) e antimoneto de alumínio (AISb). Segundo o professor Manus Hayne, líder do projeto, os materiais ajudaram a equipe envolvida a superar os desafios impostos pelo trabalho com dois tipos diferentes de memória, e o avanço deve ajudar os novos componentes a se aproximar do início da produção em escala comercial.

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Enquanto ainda não há data para que isso aconteça, a equipe afirma que testes em laboratório mostraram que a nova tecnologia supera em muito a tecnologia flash empregada atualmente. Os novos chips poderiam armazenar dados durante ao menos 1 mil anos, com resistência de 10 milhões de ciclos de leitura e apagamento.

Apesar de a UltraRAM já ser considerada revolucionária, ainda não está claro se ela é capaz de atingir as mesmas velocidades de tecnologias como o GDDR e HBM, o que significa que sua aplicação comercial pode ser limitada — ao menos em um momento inicial. Os cientistas da Universidade de Lancaster afirmam que agora vão se focar em melhorar o processo de fabricação descoberto, bem como aprimorar a qualidade dos componentes e testá-los em diversos componentes nas próximas etapas de sua pesquisa. 
 

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Fonte: Tom’s Hardware, Universidade de Lancaster
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  • Redator: Felipe Gugelmin

    Felipe Gugelmin

    Jornalista com 10 anos de experiência nas áreas de tecnologia e games, gosta de estar por dentro das últimas tendências e novidades. Dedica boa parte do tempo livre a jogar (representante da PC Master Race), mas também arranja um tempo para a vida social, leituras e dar passeiros com seu cachorro.

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