Em colaboração com o Massachusets Institute of Technology (MIT) e com a National Taiwan University (NTU), a TSMC publicou no dia 12 de maio um artigo na revista Nature mostrando um grande avanço no desenvolvimento de chips de 1nm graças a semicondutores bidimensionais baseados em Bismuto (Bi).

De acordo com o artigo, o desenvolvimento de chips numa litografia tão baixa (1nm) dependia de semicondutores que podem ser usados com uma baixíssima espessura atômica bidimensional. No entanto, reduzir tanto a espessura dos circuitos gerava uma queda na condutibilidade e aumento na resistência dos semicondutores. 

No entanto, os pesquisadores descobriram que o uso do metal de transição Bismuto na matiz bidimensional pode reduzir a resistência e aumentar a condução no material, o que quebra a barreira de desenvolvimento dessa tecnologia explicada anteriormente. 

As resistências relatadas são uma melhoria substancial para semicondutores bidimensionais, e se aproximam do limite quântico. Essa tecnologia revela o potencial de transistores de alto desempenho em monocamada que estão equivalentes com os semicondutores tridimensionais em estado da arte (...) estendendo a lei de Moore.

Essa descoberta foi feita primeiro pela MIT mas depois foi refinada pela NTU e pela TSMC. A novidade foi anunciada pouco depois da IBM mostrar avanços no desenvolvimento de chips em 2nm.

Lisa Su, CEO da AMD, compartilhou o seu ponto de vista sobre a escassez de chips
A executiva não aparenta estar muito preocupada com a situação

Finalmente, vale destacar que isso não significa que a TSMC vai começar a produzir chips em 1nm em breve, já que a empresa ainda planeja começar a produção de nódulos de 3nm na segunda metade de 2022. Para mais informações, você pode acessar o artigo original publicado na Nature clicando nesse link.

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Via: TechPowerUp Fonte: Nature