Samsung cria primeira memória RAM DDR5 com 512GB de capacidade

A Samsung anunciou que expandiu seu portfólio de produtos em memórias RAM com a introdução de módulos na tecnologia DDR5 com capacidade de 512GB. Essas especificações só foram possíveis graças ao uso de novas tecnologias em silício, e além da maior capacidade também trarão mais eficiência energética e até o dobro de performance, comparado ao DDR4.

Um ponto crucial para esses novos produtos é a introdução do High-K Metal Gate, ou dielétrico high-k. Com as estruturas dos módulos cada vez mais miniaturizadas, as camadas de isolamento entre elementos como os transistores ficam cada vez menores, o problema de vazamento (leakage) de corrente se torna cada vez mais grave. Vazamento de corrente impede o funcionamento de hardwares pois é justamente essa característica essencial dos semicondutores, que podem bloquear ou não a corrente, algo que fica comprometido se a corrente “escapa” quando devia ser bloqueada.

A substituição do isolante pelo material de HKMG viabilizou levar a miniaturização e condensação de componentes a um novo patamar, possibilitando maior densidade e performance. A nova tecnologia promete alcançar até 7200 Mbps consumindo 13% menos energia que a tecnologia antecessora, a DDR4. O uso de HKMG não é uma novidade em módulos de memória da Samsung, com seu uso iniciado em 2018 nas memórias GDDR6, presentes em produtos como placas de vídeo Nvidia Quadro RTX.

Com o uso do TSV (through-silicon via, ou via através do silício, em tradução livre), a Samsung conseguiu empilhar múltiplos desses módulos e com isso acumular até 8 camadas de 16GB de RAM, tornando possível a criação de módulos com 512GB. 

O foco desses módulos de maior capacidade são a supercomputação, onde quantidades gigantescas de memória precisam ser armazenadas e disponibilizadas para processamento em computação de larga escala, e ciclos como aprendizado da máquina e inteligência artificial.

Via: TechPowerUp