Créditos: Longsys

Testes da Longsys mostram grande salto de performance em módulo de memória DDR5

Apesar de latência maior, o módulo DDR5 teve um desempenho até 112% superior em benchmark

Uma empresa chinesa manufaturadora de memórias NAND flash chamada Shenzen Longsys Eletronics Co. divulgou alguns comparativos entre memórias DDR4 com sua memória RAM DDR5 operando a 6400 MHz. Os testes foram feitos com um processador Intel da geração Alder Lake-S, e mostram ganhos de desempenho de até 112% para DDR5.

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Antes de analisar os resultados dos benchmarks, é importante ressaltar que apesar da Longsys ter afirmado que eles usaram memória RAM de 6400 MHz, as imagens do sistema indicam memórias DDR5 de 4800 MHz. Também vale destacar que não foram divulgados detalhes das memórias DDR4 testadas, mas podemos imaginar que se tratam de módulos operando a 3200 MHz graças a seu CL22 divulgado.


Imagem: Longsys

A empresa chinesa usou cinco testes diferentes para comparar a performance dos dois tipos de memória: Teste de leitura do AIDA64; Teste de escrita do AIDA64; Teste de cópia do AIDA64; Teste de latência do AIDA64 e também o Master Lu Benchmark. Todos eles mostraram um ganho mínimo de 12% para DDR5 (teste de cópia) e máximo de 112% (Master Lu Benchmark). O Tom's Hardware resumiu todos os resultados no gráfico abaixo:

A empresa usou um módulo de memória de 32GB DDR5 operando a 6400 MHz e com CL40.

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Imagem: Tom's Hardware

Na imagem é possível notar que apesar de bons ganhos de desempenho em quatro dos cinco testes, o módulo DDR5 apresentou uma latência significantemente maior (97%) do que a apresentada na tecnologia DDR4. 

O melhor ganho de desempenho da nova tecnologia de memórias foi no Master Lu Benchmark, que é bem popular na China. A diferença entre os dois módulos foi de 112%, já que o DDR5 marcou 193,684 pontos no teste enquanto o DDR4 alcançou apenas 91,575 pontos.


Testes e informações detalhadas (Imagem: Longsys)

A Shenzen Longsys Eletronics Co. está desenvolvendo dois tipos de módulos de memória DDR5: um com 16GB e outro 32GB. Ambos operam na frequência de 6400 MHz, contam com PCB de oito camadas, CL40 e tensão de 1.1V. No entanto, a perspectiva é de que no futuro essa tecnologia de memórias possa atingir até 8400 MHz em módulos de até 128GB.

Via: Tom's Hardware
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  • Redator: Diego Amorim

    Diego Amorim

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