Créditos: Intel

Intel Tiger Lake seriam produzidos em 10 nm+ com tecnologias SuperFin e SuperMIM

CPUs Core de 11ª geração deverão ter mais desempenho e mesmo consumo da geração passada
Por Carlos Felipe Estrella 12/08/2020 15:38 | atualizado 12/08/2020 16:38 Comentários Reportar erro

Os processadores Intel Core de 11ª geração (codinome "Tiger Lake") deverão trazer o primeiro refinamento da litografia de 10 nanômetros da empresa, trazendo importantes novidades para a sua tecnologia de fabricação de silício. De acordo com o site TechPowerUp, o novo processo de fabricação em 10 nm+ vai trazer dois recursos-chave para melhorar os recursos de energia do silício.

Esses recursos são o transistor SuperFin e o capacitor SuperMIM, que deverão permitir a introdução de um melhor desempenho sem aumentar o consumo energético dos novos processadores – em comparação com a geração anterior.

Ainda segundo a publicação, o SuperFin é um projeto FinFET redesenhado. Nesse design, o transistor em nanoescala tem um gate pitch ampliado, o que resulta numa maior passagem de corrente e numa mobilidade de canal melhorada. Além disso, há uma relação entre fonte e drenagem otimizada, o que resulta numa menor resistência do transistor.

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O outro componente-chave da litografia de 10 nm+ é o capacitor SuperMIM, que entrega uma capacitância metal-isolante-metal cinco vezes superior. Ainda não há informações sobre números específicos de ganhos de eficiência com o novo processo, mas fala-se em "aumentos dramáticos de frequência" em comparação com a geração passada.

Isso se encaixa bem com os vazamentos anteriores, que indicavam que o Core i7-1185G7 virá com clocks significativamente maiores. Já a microarquitetura de CPU "Willow Cove", que vai impulsionar os modelos Tiger Lake, deverá trazer 1280 KB de cache L2 por núcleo.

O que seria um aumento bem considerável em comparação com a microarquitetura Sunny Cove, com seus 512 KB de cache. Vale lembrar que a geração Skylake também trazia apenas 256 KB de cache L2 por núcleo em dies baseados em ringbus.

A Intel também teria incluído proteções em nível de silício em ataques side-channel baseados em return/jump. A nova geração ainda deverá incluir um controlador de memória integrado coim suporte para memórias LPDDR5-5400, LPDDR4X-4767 e DDR4-3200.

Via: TechPowerUp, Videocardz
  • Redator: Carlos Felipe Estrella

    Carlos Felipe Estrella

    Apaixonado por games desde os 6 anos de idade, quando ganhou um Playstation, época em que também se divertia com o Super Nintendo dos outros. Em 2005 migrou para o PC, e aí começou a se interessar por tecnologia também. Apesar disso, nunca conseguiu largar a preferência por jogos de corrida e de esporte, principalmente os de futebol. Estuda jornalismo na Universidade Federal de Santa Catarina.

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