Créditos: Reprodução/AnandTech

Intel planeja fabricar transistores nanowire em alto volume dentro de cinco anos

Empresa comentou sobre novas tecnologias de fabricação durante sua apresentação chamada "O Futuro da Computação"

Intel dedicou um tempo de sua apresentação em uma conferência internacional para comentar sobre o futuro da empresa em relação às novas tecnologias, como transistores de nanofios/nanofibras (nanowire/nanosheet) que devem permitir tamanhos muito menores em relação aos que existem atualmente. Durante a VLSI Symposia on Technology and Circuits, o CTO da Intel, Mike Mayberry, explicou como a Intel planeja atender à demanda por mais computação.

Na apresentação intitulada "O Futuro da Computação", o CTO Mayberry comentou sobre novas tecnologias de fabricação, incluindo ir além do FinFET para estruturas Gate-All-Around, ou até mesmo estruturas 2D nanosheet. No final de sua fala, durante as perguntas e respostas, o executivo afirmou que espera que os transistores nanowire estejam em produção de alto volume dentro de cinco anos, colocando uma marca no mercado para a Intel.

Segundo a apresentação da marca, estamos acostumados com transistores FinFET desde a litografia de 22 nm da Intel. Mas, à medida que os tamanhos diminuem, é preciso otimizar as tecnologias para que os transistores possam continuar sendo eficazes mesmo em tamanhos menores. Para evitar esse problema, a Intel junto a outros fabricantes de semicondutores como a Samsung, criou uma solução chamada Gate-All-Around FET (GAAFET).

De acordo com as explicações, o padrão GAAFET é disposto de uma maneira que oferece maior controle de comutação, evitando erros e comutações aleatórias. A implementação do GAAFET basicamente dispõe a aleta do transistor (transistor fin) como se ela estivesse pairando, que pode ser muito pequena (nanowire/nanofios) ou mais larga (nanosheet/nanofibras), com vários fios ou fibras empilhados aumentando a largura efetiva do transistor.

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Com o Gate-All-Around FET, a maioria das empresas espera chegar no node de 3nm, que deve oferecer densidade semelhante ao node de 5nm da Intel. Como as aletas podem ser empilhadas, isso permite um controle adicional de adaptação, independentemente do processo de fabricação que será usado para alto desempenho ou baixa potência.

A Intel anunciou que deve iniciar a fabricação de alto volume de silício com base nessa tecnologia dentro de cinco anos.

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Via: Tech Power Up
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  • Redator: Mariela Cancelier

    Mariela Cancelier

    Mariela é jornalista pela Universidade Federal de Santa Catarina e gosta de jogos de luta e MOBAs. Foi estagiária do Adrenaline e Mundo Conectado e atualmente é redatora freelancer em ambos os sites.

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