A Samsung Electronics anunciou nesta terça-feira (16) que seu processo de desenvolvimento da tecnologia FinFET (Fin Field Effect Transistor) de 5nm em EUV chegou ao fim. Segundo a sul-coreana, o desenvolvimento foi um grande sucesso e o resultado já está pronto para ser apresentado em amostras para seus clientes.
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Em um comparativo com os processos de 7nm e 5nm, a tecnologia FinFET fornece um aumento de 25% na eficiência de área lógica e 10% no desempenho geral do processo, tudo isso tendo um consumo de energia 20% menor. Com o da litografia EUV é possível reduzir as camadas de máscara e substituí-las por padrões de camada de metal, proporcionando menos gasto energético e atendendo a demanda do mercado com produtos competitivos.
Para conseguir uma pequena vantagem no mercado com sua tecnologia FinFET de 5nm, a Samsung vai reutilizar suas propriedades intelectuais em 7nm para ajudar seus clientes a migrar para o novo processo. Ou seja, os clientes que forem fazer uma migração para os produtos feitos no novo processo terão redução no custo, caso já façam o uso das tecnologias em 7nm.
“Em resposta à crescente demanda dos clientes por tecnologias de processo avançadas para diferenciar seus produtos de última geração, continuamos nosso compromisso de acelerar o volume de produção de tecnologias baseadas em EUV”.
Charlie Bae, vice-presidente executivo da Samsung Electronics
Em outubro de 2018 a empresa deu início a produção em massa de processos em 7nm EUV e forneceu a tecnologia aos seus clientes no começo do ano. Em seguida já começou o desenvolvimento do seu primeiro chip em 6nm em colaboração com outras empresas.
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Com sua gama de processos produzidos na litografia EUV, a fabricante pretende expandir sua capacidade para a Samsung Foundry em Hwaseong, na Coréia do Sul, no segundo semestre. Assim, a implementação de sua tecnologia FinFET de 5nm em EUV deve começar em 2020, e vai disputar espaço no mercado com a concorrente TSMC
Via: Samsung, Mundo Conectado
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