Intel busca MESO como alternativa para transistores CMOS, usados em toda a indústria

Pesquisadores da Intel estão buscando alternativas para o semicondutor de metal-óxido complementar (da sigla em inglês CMOS), que é utilizado na fabricação de circuitos integrados por quase toda a indústria na fabricação de peças como CPUs e memória RAM. Para isso, eles estão realizando testes com uma alternativa conhecida como Spin-Órbita Magnetoelétrica (da sigla em inglês MESO).

Em parceria com cientistas da Universidade da Califórnia em Berkeley e do Laboratório Nacional de Lawrence Berkeley, eles publicaram um artigo onde definem a MESO como “o futuro dos dispositivos lógicos“. Segundo os pesquisadores, essa alternativa tem potencial para operar usando até 5 vezes menor tensão e reduzir os gastos de energia entre 10 e 30 vezes – isso se combinado com possibilidades de modo de suspensão de super baixo consumo.

Outra vantagem do novo material em comparação com o CMOS está na sua densidade lógica até 5 vezes superior, de acordo com a pesquisa. Por ser não-volátil, a MESO ainda permite uma autonomia consideravelmente maior quando em standby.

A busca por uma alternativa ao semicondutor de metal-óxido complementar vem de uma necessidade por processadores e memórias mais eficientes. Conforme chegamos em processos de produção de 10nm ou menores, o CMOS atingiu sua barreira física, e há cada vez mais dificuldade em sua miniaturização.

Via: Intel, Hexus