A Samsung apresentou a tecnologia de memória Z-NAND, sua resposta para o Intel Optane em busca de reduzir os gargalos em dispositivos de armazenamento.
A alternativa da Samsung é uma evolução do NAND Single-Level Cell (SLC), com o diferencial de ter vários tweaks no controlador, assim como otimizações para obter maior desempenho em capacidades de leitura e escrita, tanto IOPS quanto sequencial.
A grande vantagem da tecnologia por trás do Intel Optane, a 3D XPoint, é a sua latência reduzida. Enquanto um SSD NAND NVMe traz uma latência de cerca de 120μs, os produtos com Optane possuem 10μs.
O novo SSD da Samsung com Z-NAND, o SZ985, não chega a ter o mesmo desempenho, mas ele ainda traz algo entre 12μs e 20μs. O modelo da companhia sul-coreana também possui performance de gravação aleatória IOPS consideravelmente inferior: 550 mil do Intel Optane P4800X contra 170 mil do SZ985.
Por outro lado, o dispositivo da Samsung se sai melhor na leitura aleatória IOPS (750 mil da Samsung contra 550 mil) e em operações sequenciais de escrita (3,2GB/s contra 2,4GB/s) e de leitura (3,2GB/s contra 2GB/s).
Já a durabilidade entre as duas tecnologias é praticamente equivalente. Enquanto o Optane P4800X dura 41 escritas por dia, o Samsung SZ985 alcança 42,7 escritas por dia num período de 5 anos.
Para mais informações, confira os arquivos oficiais da Samsung sobre a tecnologia (em inglês).
Especificações completas do SZ985:
Via: The Register, TechPowerUp
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