A Samsung anunciou durante o Flash Memory Summit deste ano seus avanços no desenvolvimento da tecnologia V-NAND para armazenamento, bem como novos modelos de SSDs voltados para servidores e data centers. A companhia afirma que sua tecnologia proprietária V-NAND é “altamente avançada” e vai determinar o futuro do armazenamento das empresas, começando pelo anúncio dessa semana de um chip de 1 Tb neste formato.
A empresa sul-coreana espera que seu primeiro chip 1 Tb V-NAND esteja comercialmente disponível no ano que vem. Segundo a Samsung, a tecnologia vai permitir “empilhar” até 2 TB de capacidade num único pacote V-NAND, usando 16 dies de 1 Tb, representando um avanço impressionante na capacidade dos drives de armazenamento flash.
Enquanto a nova tecnologia não chega, no entanto, a empresa anunciou duas novas linhas de SSDs para servidores. A primeira é baseada em NGSFF (Next-Generation Small Form Factor), em vez de M.2. A empresa afirma que o formato diferenciado permite aproveitar bem melhor o espaço, oferecendo até 576 TB em um único rack 1U, usando 36 SSDs NGSFF de 16 TB cada. Eles medem 30,5 x 110 x 4,38mm.
No formato tradicional a Samsung anunciou seus novos Z-SSDs, que estreiam na forma do modelo SZ985. O foco aqui é a performance, com latência “ultra-baixa” e alta velocidade. A empresa promete uma performance melhor que a do padrão NVMe, alcançando apenas 15 microssegundos de latência na leitura e podendo aumentar o tempo de resposta do sistema em até 12 vezes no nível de aplicações.
Fonte: Tech Power Up
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